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型號:

VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀

描述:產(chǎn)品簡介:VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等

  • 廠商性質(zhì)

    經(jīng)銷商
  • 更新時間

    2024-03-07
  • 訪問量

    416
詳細(xì)介紹

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產(chǎn)品簡介: VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單 層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、  硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀配備有兩個靶槍,一個弱磁靶用于非導(dǎo)電材 料的濺射鍍膜,一個強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比,且具有體積小便于操作的優(yōu)點, 且可使用的材料范圍廣,是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。


產(chǎn)品型號

VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀

產(chǎn)品型號

VTC-600-2HD

安裝條件

本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。


1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)(加注純凈水或者去離子水)


2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地


3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣(純度 99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶 ?6mm 雙卡套


接頭)及減壓閥


4、工作臺: 尺寸 1500mm×600mm×700mm ,承重 200kg 以上


5、通風(fēng)裝置:需要

主要特點

1 、配置兩個靶槍,一個配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜,一個配套直流電源用于導(dǎo) 電性材料的濺射鍍膜。


2、可制備多種薄膜,應(yīng)用廣泛。


3、體積小,操作簡便。




技術(shù)參數(shù)

1、電源電壓: 220V    50Hz


2、功率: <2KW  (不含真空泵)


3、極限真空度: 9.0×10-4Pa


4、樣品臺加熱溫度: RT-500℃,精度±1℃(可根據(jù)實際需要提升溫度)


5、靶槍數(shù)量: 2 個(可選配其他數(shù)量)


6、靶槍冷卻方式:水冷


7、靶材尺寸: ?2″, 厚度 0.1-5mm  (因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同)


8 、直流濺射功率: 500W;射頻濺射功率: 300W。(靶電源種類可選,可選擇兩個直流電源, 也可選擇兩個射頻電源,或選則一個直流一個射頻電源)


9、載樣臺: ?140mm


10、載樣臺轉(zhuǎn)速: 1rpm-20rpm 內(nèi)可調(diào)


11、工作氣體: Ar 等惰性氣體


12、進(jìn)氣氣路: 質(zhì)量流量計控制 2 路進(jìn)氣,一路為 100SCCM ,另一路為 200SCCM

產(chǎn)品規(guī)格

1 、主機(jī)尺寸: 500mm ×560mm×660mm


2 、整機(jī)尺寸: 1300mm ×660mm×1200mm


3、重量: 160kg


4、真空室規(guī)格:φ 300×300mm

標(biāo)準(zhǔn)配件

1

直流電源控制系統(tǒng)

1 

2

射頻電源控制系統(tǒng)

1 

3

膜厚監(jiān)測儀系統(tǒng)

1 

4

分子泵(德國進(jìn)口)

1 

5

冷水機(jī)

1 

6

冷卻水管(?6mm

4 




可選配件

金、銦、銀、白金等各種靶材



直流濺射,又稱陰極濺射或二極濺射




濺射條件: 工作氣壓 10pa 左右, 濺射電壓 3000V ,靶電流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于 0.1img2m/min。



工作原理: 先讓惰性氣體(通常為 Ar 氣) 產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子; 帶電離子緊電場加速撞擊靶 材表面, 使靶材原子被轟擊而飛出來, 同時產(chǎn)生二次電子, 再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子; 靶材原子攜帶著足夠的動能到達(dá)被鍍物(襯底) 的表面進(jìn)行沉積。隨著氣壓的變化, 濺射法薄膜沉積速率 將出現(xiàn)一個極大值, 但氣壓很低的條件下, 電子的自由程較長, 電子在陰極上消失的幾率較大, 通過碰撞 過程引起氣體分子電離的幾率較低, 離子在陽極上濺射的同時發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相 對較小, 這些均導(dǎo)致低氣壓條件下濺射的速率很低。 在壓力 1Pa 時甚至不易維持自持放電! 隨著氣壓的升 高,電子的平均自由程減小,原子的電離幾率增加,濺射電流增加,濺射速率增加。

適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬, Au,Ag,Pt




射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技 術(shù)。

工作條件: 射頻濺射可以在 1Pa 左右的低壓下進(jìn)行, 濺射電壓 1000V ,靶電流密度 1.0 mA/cm2,薄膜沉積 速率 0.5img3m/min。

工作原理: 人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替,當(dāng)濺射靶處于正半周時, 電子流向靶面, 中和其表面積累的正電荷, 并且積累電子, 使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓, 導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半 周期時吸引正離子轟擊靶材, 從而實現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大, 遷移率小, 不像電子那樣很快地向 靶表面集中, 所以靶表面的點位上升緩慢, 由于在靶上會形成負(fù)偏壓, 所以射頻濺射裝置也可以濺射導(dǎo)體 靶。在射頻濺射裝置中, 等離子體中的電子容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩, 因此, 電子與工作

氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大,故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。

優(yōu)點: 1、可在低氣壓下進(jìn)行,濺射速率高。


2、不僅可濺射金屬靶,也可濺射絕緣靶,可以把導(dǎo)體,半導(dǎo)體,絕緣體中的任意材料薄膜化。


3、必須十分注意接地問題。


適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導(dǎo)體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣


層的靶材. Al,Ti,Mg 等金屬以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.

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