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描述:產(chǎn)品介紹:該種cell是在S型DAC基礎(chǔ)上,采用高硬鈹銅加工而成,被廣泛用于低溫?zé)o磁高壓科學(xué)研究,能夠滿足軸向與徑向進光需求,可以進行光學(xué)、X-Ray和同步輻射等相應(yīng)的實驗
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2024-03-12訪問量
177產(chǎn)品介紹:
該種cell是在S型DAC基礎(chǔ)上,采用高硬鈹銅加工而成,被廣泛用于低溫?zé)o磁高壓科學(xué)研究,能夠滿足軸向與徑向進光需求,可以進行光學(xué)、X-Ray和同步輻射等相應(yīng)的實驗。
Sm-I型cell技術(shù)說明:
壓砧支撐材料:碳化鎢;
加壓機制:螺栓-碟簧加壓
頂部張角:60度;底部張角:60度
DAC高度:35mm
DAC外徑:47.64mm
工作距離:18mm
中心高度:6.89mm;中心孔徑:6.94mm
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